BARCELONA, 17 Mar. (EUROPA PRESS) – El Govern ha dado luz verde este martes a la firma del convenio entre la Generalitat y la Administración General del Estado para ejecutar el proyecto Innofab, el primer centro en Catalunya de investigación y desarrollo especializado en la tecnología avanzada y prototipado de chips basados en semiconductores avanzados.
La operación para la nueva infraestructura, que se ubicará en el Parc de l’Alba, en Cerdanyola del Vallès (Barcelona), representa una inversión de 398 millones de euros que se cofinanciarán con aportes de la Generalitat (193 millones), Estado (60 millones) y un préstamo complementario de 145 millones, informa el Ejecutivo catalán en un comunicado posterior al Consell Executiu de este martes.
El objetivo del convenio es establecer el marco de cooperación entre ambas administraciones, y la ejecución del proyecto se llevará a cabo a través de la Fundación Innofab, entidad sin ánimo de lucro adscrita al sector público de la Generalitat, que será la responsable de gestionar las actuaciones necesarias.
Por su parte, la Administración General del Estado, a través de la Sociedad Española para la Transformación Tecnológica (SETT), contribuirá a la construcción y dotación del edificio que albergará el centro.
El convenio, con una vigencia inicial de 4 años prorrogables otros 4 años, prevé la creación de una comisión de seguimiento, formada por representantes de ambas administraciones, que velará por el correcto desarrollo del proyecto, y que la presidencia recaiga en una de las personas designadas en representación de la Generalitat.
Redacción por el Grupo IDP
En diciembre, el Govern adjudicó la redacción del proyecto de ingeniería básico para la construcción de la infraestructura de Innofab al grupo IDP, por un importe de 2,6 millones de euros.
La propuesta, que deberá presentarse el próximo mes de abril, será el punto de partida para elaborar el proyecto ejecutivo de las obras y el proyecto constructivo posterior, que se adjudicará este año.
El nuevo centro contará con tres edificios: el FAB (10.600 m² distribuidos en cuatro plantas), otro de oficinas y laboratorios (7.300 m²) y un auxiliar de servicios (4.000 m²), sumando una superficie construida de cerca de 22.000 m².
También dispondrá de una sala blanca de más de 2.000 m² desde la que se podrán escalar procesos de fabricación de chips en el ámbito industrial.
Innovación en semiconductores
Con esta operación, la Generalitat pretende que el Innofab, junto con el Sincrotrón Alba y el Barcelona Supercomputing Center (BSC), sitúen a Catalunya «entre las 50 regiones más innovadoras en semiconductores de la Unión Europea», atrayendo talento, emprendedores y startups que trabajen en este campo.
Junto con Innofab, el plan incluye otros dos proyectos: el DARE, liderado por el BSC, que desarrollará tecnología basada en la arquitectura abierta RISC-V para aplicaciones de alta computación e inteligencia artificial; y el PIXEurope, coordinado por el Instituto de Ciencias Fotónicas (ICFO), para «consolidar el liderazgo europeo» en circuitos fotónicos integrados.
